
| Максимальная мощность рассеивания | 626 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 320 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1.5 mOm |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
Одиночный MOSFET-транзистор DACO Semiconductor DAMI450N100 в корпусе SOT227B. Предназначен для работы с напряжением до 100 В и током до 320 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а максимально допустимый ток стока — 320 А. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1.5 мОм.
Конструкция и монтажМаксимальная мощность рассеивания модуля — 626 Вт. Корпус SOT227B предусматривает винтовой монтаж как для электрического, так и для механического крепления. Структура полупроводника — одиночный транзистор, полярность — униполярная.