Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK80Z, 800 В, 3,9 А, TO220-3 (набор 20 шт.)
Код: TM020939
В наличии
3 820 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 637 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 140 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | SuperMesh™ |
Набор из 20 транзисторов STMicroelectronics STP8NK80Z — это мощные N-MOSFET компоненты для электронных схем высокого напряжения. Модель сочетает высокое напряжение пробоя 800 В и ток 3,9 А.
- Набор из 20 транзисторов STP8NK80Z
- Максимальное напряжение сток-исток 800 В
- Ток стока 3,9 А
- Рассеиваемая мощность 140 Вт
- Корпус TO220-3 для монтажа THT
- Технология SuperMesh™ и защита ESD
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 800 В. Компонент изготовлен по технологии SuperMesh™. Компонент имеет версию ESD.
Эффективное рассеивание мощностиМаксимальная рассеиваемая мощность составляет 140 Вт. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 1,5 Ом.
Удобный монтаж и комплектацияКомпоненты выполнены в корпусе TO220-3 с технологией монтажа THT. В комплекте поставляется 20 штук. Полярность unipolarny (униполярный) и канал типа wzbogacany (обогащенный).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
