Транзистор N-MOSFET Diodes DMTH10H005LCT, 100В, 140А, TO220AB (набор 10 шт.)

Набор из 10 мощных полевых транзисторов N-MOSFET от Diodes Incorporated, модель DMTH10H005LCT. Компоненты рассчитаны на высокий ток до 140 А и напряжение 100 В, что соответствует параметрам силовых электронных схем.

• Ток стока 140 А и импульсный ток 150 А
• Напряжение сток-исток 100 В
• Мощность рассеивания 187 Вт
• Сопротивление в открытом состоянии 5 мОм
• Корпус TO220AB, монтаж THT
• Набор из 10 транзисторов

Транзисторы выдерживают постоянный ток стока 140 А и импульсный ток до 150 А. Мощность рассеивания составляет 187 Вт при условии надлежащего охлаждения.

Сопротивление канала в открытом состоянии (Rds(on)) составляет всего 5 мОм. Это снижает потери энергии и нагрев компонента во время работы.

Компоненты выполнены в стандартном корпусе TO220AB с выводами для монтажа на плату (THT). Такое исполнение обеспечивает стандартный монтаж на плату.

Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В, а заряд затвора — 114 нКл. Это соответствует параметрам управления для ключевых схем.

Этот набор предназначен для использования в мощных электронных устройствах. Транзисторы являются униполярными с каналом обогащения, что определяет их поведение в схемах управления.