
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 468 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 225 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Тип транзистора: IGBT Комплект состоит из 5 единиц. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 650 В, а максимальный ток коллектора — 225 А.
Устройство имеет максимальное напряжение коллектор-эмиттер 650 В и максимальный ток коллектора 225 А. Максимальная мощность рассеивания равна 468 Вт. Заряд затвора составляет 225 нКл, а допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO247-3 с выводным типом монтажа. Встроенный антипараллельный диод является частью конструкции полупроводникового элемента.
КомплектацияВ комплекте поставки 5 шт.