
| Максимальная мощность рассеивания | 294 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G080P06T — это полевой транзистор типа P-MOSFET в корпусе TO220. Комплект состоит из 20 единиц.
Максимальная мощность рассеивания составляет 294 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток равно 20 В.
Конструкция и монтажТип монтажа — выводной. Корпус: TO220.