Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набор 20 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набор 20 шт.)
Brand: STMicroelectronics
SKU: TM020804
Price: 3570 UAH
Availability: InStock

Код: TM020804

В наличии

3 570 ₴

+5%

бонусов с картой Rozetka

Продавец Iskra

100%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 595 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4, 55В, 42А, DPAK (набор 20 шт.) - фото 1 - id-p3243260112

Характеристики и описание

Основные

Производитель	STMicroelectronics
Максимальная мощность рассеивания	110 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	15 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	55 В
Максимально допустимый ток стока	42 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	17 mOm
Тип монтажа	Поверхностный
Тип транзистора	Полевой

Дополнительные характеристики

Состояние	Новое

Пользовательские характеристики

Версия	ESD
Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	20 шт.
Корпус	DPAK
Технология	SuperMesh™

Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD60NF55LT4 — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе DPAK. Устройство рассчитано на максимальное напряжение сток-исток 55 В и ток стока 42 А.

Тип транзистора: полевой N-MOSFET с индуцированным каналом
Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 В
Максимально допустимый ток стока: 42 А
Максимальная мощность рассеивания: 110 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 17 мОм
Корпус: DPAK, тип монтажа: поверхностный
Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 55 В и максимально допустимый ток стока 42 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 110 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 17 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 15 В.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в поверхностном корпусе DPAK. Используется технология SuperMesh™. Транзистор является однополярным (unipolarny) с индуцированным каналом (wzbogacany). Версия: ESD.

Комплектация

В наборе поставляется 20 шт. транзисторов.

Похожие товары по характеристикам