Транзистор IGBT ONSEMI FGH40T65SHDF-F155, 650 В, 40 А, TO247-3 (5 шт.)
Код: TM073724
В наличии
2 240 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 373 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Оплата на счетIBAN UA063220010000026005360045578
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 134 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 120 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 мес |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
IGBT-транзистор ONSEMI FGH40T65SHDF-F155 в корпусе TO247-3 для монтажа на плату. Комплект состоит из 5 элементов с номинальным напряжением 650 В и током коллектора 40 А.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 650 В
- Ток коллектора: 40 А (пиковый 120 А)
- Рассеиваемая мощность: 134 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж THT
- Количество в комплекте: 5 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение коллектор-эмиттер 650 В и постоянный ток коллектора 40 А. В импульсном режиме устройство выдерживает пиковый ток до 120 А. Рассеиваемая мощность составляет 134 Вт.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в стандартном корпусе TO247-3. Монтаж осуществляется методом THT (through-hole technology), то есть выводы проходят сквозь отверстия на печатной плате. Напряжение на затворе ограничено значением ±20 В.
КомплектацияВ набор поставляется 5 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
