
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 115 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 650 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 40 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
IGBT-транзистор STMicroelectronics STGP10M65DF2 в корпусе TO220AB имеет напряжение коллектор-эмиттер 650 В. Комплект из 20 штук обеспечивает необходимое количество компонентов для серийного производства или ремонта оборудования.
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 650 В и номинальным током коллектора 10 А. Импульсный ток может достигать 40 А.
Встроенный диод и монтажКомпонент имеет интегрированный антипараллельный диод. Монтаж выполняется методом THT (сквозь отверстия). Корпус TO220AB. Рассеиваемая мощность до 115 Вт.
Удобный комплект для производстваУпаковка содержит 20 транзисторов.