Транзистор IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1, 100 А, 1,2 кВ
Код: TM018754
В наличии
5 780 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 963 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимально допустимый ток коллектора | 100 А |
|---|
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | V1 |
| Производитель | HUAJING |
| Технология | PT |
IGBT модуль HUAJING HFGM100D12V1 — полупроводниковый компонент в корпусе V1 с максимально допустимым током коллектора 100 А и напряжением 1,2 кВ.
- Максимально допустимый ток коллектора: 100 А
- Максимальное напряжение: 1,2 кВ
- Топология: полумост IGBT
- Корпус: V1
- Напряжение затвор-эмиттер: ±30 В
Модуль работает с напряжением до 1,2 кВ (Urmax) и выдерживает ток коллектора до 100 А. Напряжение между затвором и эмиттером составляет ±30 В. Технология изготовления — PT.
Конструкция и монтажКомпонент имеет топологию полумоста IGBT и структуру «транзистор/транзистор». Механическое крепление — винтовое. Электрическое соединение осуществляется через коннекторы FASTON или винтовое крепление.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
