Транзистор DACO Semiconductor DACMI160N1200, SiC, 1200 В, 110 А
Код: TM152424
В наличии
6 980 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1163 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 580 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимый ток стока | 110 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
Дополнительные характеристики
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
|---|---|
| Состояние | Новое |
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 °C |
| Технология | SiC |
Одиночный модуль транзистора DACO Semiconductor DACMI160N1200 на основе технологии SiC. Характеризуется максимально допустимым напряжением 1200 В и максимальным током стока 110 А в корпусе SOT227B.
- Ток стока: 110 А
- Напряжение затвор-исток: 20 В
- Мощность рассеивания: 580 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 20 мОм
- Корпус: SOT227B
- Технология: SiC
Модуль имеет максимально допустимое напряжение затвор-исток 20 В и сопротивление в открытом состоянии 20 мОм. Максимальная мощность рассеивания составляет 580 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе SOT227B с винтовым типом монтажа как для механического, так и для электрического крепления. Структура полупроводника — одиночный транзистор с униполярной поляризацией.
Тепловые характеристикиДиапазон рабочих температур составляет от -55 до 150 °C. Максимальная рабочая температура составляет 150 °C.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
