Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP6N60M2, 600 В, 2,9 А, TO220-3, набор 20 шт.
Код: TM114344
В наличии
3 910 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 652 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 60 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 2.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1200 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220-3 |
| Технология | MDmesh™ / / Plus |
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STP6N60M2 в корпусе TO220-3. Предназначены для монтажа на плату (THT) и работы в схемах с напряжением до 600 В и током до 2,9 А.
- Напряжение сток-исток: 600 В
- Ток стока: 2,9 А
- Рассеиваемая мощность: 60 Вт
- Сопротивление в открытом состоянии: 1,2 Ом
- Корпус: TO220-3, монтаж THT
- Набор: 20 шт.
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В. Максимальный ток стока составляет 2,9 А, а рассеиваемая мощность — 60 Вт.
Технология MDmesh™ II Plus и сопротивлениеИспользование технологии MDmesh™ II Plus от STMicroelectronics обеспечивает низкое сопротивление в открытом состоянии (1,2 Ом). Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
Версия ESD и монтажКомпонент имеет версию ESD. Монтаж выполняется методом THT (навесной монтаж).
Электрические параметры и монтажВ комплект поставки входит 20 транзисторов STP6N60M2 в корпусе TO220-3.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
