
| Максимальная мощность рассеивания | 800 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 200 В |
| Максимально допустимый ток стока | 210 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 6 mOm |
| Максимальная рабочая температура | 150 град. |
|---|---|
| Состояние | Новое |
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
| Рабочая температура | -55–150 °C |
Модуль DACO Semiconductor DAMI280N200 — это силовой MOSFET-транзистор в корпусе SOT227B. Устройство имеет номинальный ток стока 210 А при напряжении сток-исток 200 В.
Максимально допустимый ток стока: 210 А.
Импульсный ток стока: 850 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток: 200 В.
Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В.
Максимальная рассеиваемая мощность: 800 Вт.
Механический монтаж: винтовой.
Электрический монтаж: винтовой.
Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 6 мОм.
Рабочая температураРабочая температура: от -55 до +150 °C.
СтруктураСтруктура полупроводника: одиночный транзистор.
Поляризация: униполярный.