Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF20N50T, 500 В, 12,9 А, TO220FP (набор 10 шт.)

Транзистор N-MOSFET ONSEMI FDPF20N50T — это полевой транзистор с индуцированным каналом в корпусе TO220FP. Предназначен для работы с напряжением сток-исток до 500 В и током стока 12,9 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET, полевой
• Максимальное напряжение сток-исток: 500 В
• Максимальный ток стока: 12,9 А
• Мощность рассеивания: 38,5 Вт
• Корпус: TO220FP
• Сопротивление открытого состояния: 230 мОм
• Количество в наборе: 10 шт.

Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 500 В, а напряжение затвор-исток — 30 В. Максимальный постоянный ток стока равен 12,9 А, при этом импульсный ток может достигать 80 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 230 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 38,5 Вт.

Транзистор изготовлен по технологии DMOS, UniFET™. Корпус TO220FP. Тип монтажа — выводной (THT). Полярность транзистора — униполярная, тип канала — индуцированный (enhancement).

В набор поставляется 10 транзисторов FDPF20N50T.