Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N, 600 В, 5 А, DPAK набор 20 шт.
Код: TM206676
В наличии
3 240 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 540 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 70 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 5 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 550 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD10NM60N — полевой транзистор с каналом обогащения (униполярный) в корпусе DPAK. Максимальное напряжение сток-исток — 600 В, максимальный ток стока — 5 А.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 5 А
- Максимальная мощность рассеивания: 70 Вт
- Корпус: DPAK (поверхностный монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 550 мОм
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 600 В. Максимальный ток стока — 5 А, а мощность рассеивания — 70 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 550 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен для поверхностного монтажа в корпусе DPAK. Тип монтажа: поверхностный. Корпус: DPAK.
Комплектация и каналВ комплекте 20 шт. Канал транзистора — обогащенный, полярность — униполярная.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
