Транзистор IGBT ONSEMI FGH60N60SMD, 600 В, 60 А, 300 Вт, TO247-3 (набор 5 шт.)
Код: TM202825
В наличии
3 350 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 558 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 300 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Максимально допустимый ток коллектора | 180 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247-3 |
Транзистор IGBT ONSEMI FGH60N60SMD в корпусе TO247-3 для монтажа в отверстия. Основные параметры по наименованию: 600 В, 60 А, 300 Вт. В наборе 5 шт.
- Тип транзистора: IGBT
- Напряжение коллектор-эмиттер: 600 В
- Ток: 60 А
- Мощность рассеивания: 300 Вт
- Корпус: TO247-3, монтаж в отверстия
- Количество в наборе: 5 шт.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер — 600 В. Максимальная мощность рассеивания — 300 Вт.
Напряжение затвор-эмиттер — ±20 В, заряд затвора — 284 нКл. Транзистор имеет встроенный встречно-параллельный диод.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
