
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 3.3 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.4 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 8500 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SuperMesh™ |
Набор из 20 транзисторов N-MOSFET STMicroelectronics STN1HNK60 в корпусе SOT223. Транзистор N-MOSFET с напряжением сток-исток 600 В.
Транзисторы выдерживают напряжение сток-исток до 600 В и ток стока 0,4 А. Подходит для применений, требующих работы с высоким напряжением.
Надежность и защитаВерсия ESD обеспечивает дополнительную защиту от электростатического разряда, что снижает риск повреждения компонентов при монтаже и эксплуатации. Используется технология SuperMesh™.
Удобный монтажКорпус SOT223 и тип монтажа SMD обеспечивают компактное размещение на печатных платах. Рассеиваемая мощность составляет 3,3 Вт.
Электрические параметры и монтажВ комплекте 20 транзисторов. Напряжение затвор-исток составляет ±30 В, а сопротивление в открытом состоянии — 8,5 Ом. Монтаж выполняется методом SMD.