IRF530NS
Код: 2395В наличии
44 ₴
Заказ этого товара — от 5 шт.
Заказ у продавца — от 250 ₴Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта (Бесплатно при условии)
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA513220010000026000330156328
Характеристики и описание
| Производитель | PD |
|---|
Категория: SMD N-канальные транзисторы
Тип транзистора: N-MOSFET
Технология: HEXFET®
Поляризация: однополярная
Напряжение сток-утечка: 100В
Ток утечки: 17А
Рассеиваемая мощность: 3,8 Вт
Корпус: D2PAK
Напряжение затвор-утечка: ±20В
Крепление: SMD
Тип канала: усиленный
