IRF6609
Код: 0412В наличии
35 ₴
Заказ этого товара — от 7 шт.
Заказ у продавца — от 250 ₴Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта (Бесплатно при условии)
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA513220010000026000330156328
Характеристики и описание
| Производитель | PD |
|---|
|
IRF6609 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 2,8 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 20 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 2,45 В Максимальный ток стока | Id |: 31 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 46 нКл Время произрастания (tr): 95 нс Выходная емкость (Cd): 1850 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 0,002 Ом Корпус: DIRECTFET |
