
| Производитель | PD |
|---|
|
IRF430 Тип транзистора: MOSFET Тип канала управления: N-канал Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 75 Вт Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 500 В Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В Максимальный ток стока | Id |: 4,5 А Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C Общий заряд затвора (Qg): 40 (макс.) нКл Время нарастания (tr): 40 (макс.) нс Выходная емкость (Cd): 135 пФ Максимальное сопротивление в открытом состоянии сток-утечка (Rds): 1,5 Ом Корпус: TO3 |