IRF646
Код: 0411В наличии
49 ₴
Заказ этого товара — от 5 шт.
Заказ у продавца — от 250 ₴Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта (Бесплатно при условии)
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Наложенный платежНова Пошта
Оплата на счетIBAN UA513220010000026000330156328
Характеристики и описание
| Производитель | PD |
|---|
IRF646
Тип транзистора: MOSFET
Тип канала управления: N-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 125 Вт
Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 275 В
Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В
Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В
Максимальный ток стока | Id |: 14 А
Максимальная температура соединения (Tj): 150 °C
Общий заряд затвора (Qg): 39 нКл
Время нарастания (tr): 67 нс
Выходная емкость (Cd): 320 пФ
Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,28 Ом
Корпус: TO220AB
