
| Производитель | PD |
|---|
IRF4905S
Тип транзистора: MOSFET
Тип канала управления: P-канал
Максимальная рассеиваемая мощность (Pd): 200 Вт
Максимальное напряжение утечка-утечка |Vds|: 55 В
Максимальное напряжение затвор-утечка |Vgs|: 20 В
Максимальное пороговое затворное напряжение |Vgs(th)|: 4 В
Максимальный ток стока | Id |: 74 А
Максимальная температура соединения (Tj): 175 °C
Общий заряд затвора (Qg): 180 (макс.) нКл
Время произрастания (tr): 99 нс
Выходная емкость (Cd): 1400 пФ
Максимальное сопротивление утечке-утечке в открытом состоянии (Rds): 0,02 Ом
Корпус: TO263