Prom – найбільший маркетплейс України

MJE13002

Код: 6294
Готово к отправке
16.93 ₴
Продавец Мале підприємство "Радіодеталь"
100%

Доставка

  • Иконка доставки
    Подписка на доставку Smart
    Бесплатно — в отделения Новой почты
    Узнать больше
  • Иконка доставки
    Нова Пошта (Бесплатно при условии)

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Безопасная оплата картой
    Изображение для Безопасная оплата картой
    Без переплат
    Prom гарантирует безопасность
    Вернем деньги при отказе от посылки
  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта, Укрпочта
MJE13002 - фото 1 - id-p1382646335

Характеристики и описание

TO-126, в упак. по 1т.шт., 2012г., 300В 1,5А 40Вт 8…40 4МГц npn

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Вчера
Мале підприємство "Радіодеталь"
Мале підприємство "Радіодеталь"
100% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB4310PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 140 А: Rси(вкл): 7 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
183.80 ₴
IRF3205ZSTRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 6.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF3205ZSTRLPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-263-3]: Тип: N: Uси: 55 В: Iс(25°C): 75 А: Rси(вкл): 6.5 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
282.50 ₴
IRF1407SPBF МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В, 0.0078 Ом, 10 В, 4 В. В линейке
IRF1407SPBF МОП-транзистор, N Канал, 100 А, 75 В, 0.0078 Ом, 10 В, 4 В. В линейке
157.50 ₴
FDT86106LZ МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 100 В, 0.08 Ом, 10 В, 1.5 В
FDT86106LZ МОП-транзистор, N Канал, 3.2 А, 100 В, 0.08 Ом, 10 В, 1.5 В
122.50 ₴
PBSS304NX.115 Транзистор: NPN: биполярный: 60В: 4,7А: 600мВт: SC62,SOT89
PBSS304NX.115 Транзистор: NPN: биполярный: 60В: 4,7А: 600мВт: SC62,SOT89
180 ₴
CRJF190N65GCF N-MOSFET 650V, 181mΩ, 20A
CRJF190N65GCF N-MOSFET 650V, 181mΩ, 20A
123.80 ₴
CRG40T60AN3H 280W 40A 600V TO-3PN IGBT Transistors
CRG40T60AN3H 280W 40A 600V TO-3PN IGBT Transistors
123.80 ₴
STP4NK80Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 3 А: Rси(вкл): 3.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
STP4NK80Z MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 3 А: Rси(вкл): 3.5 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв:
116.30 ₴
FDP18N50 MOSFET транзистор - TO-220-3, Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 18 А, Rси(вкл): 0.265 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 45 нКл
FDP18N50 MOSFET транзистор - TO-220-3, Тип: N, Uси: 500 В, Iс(25°C): 18 А, Rси(вкл): 0.265 Ом, @Uзатв(ном): 10 В, Qзатв: 45 нКл
406.30 ₴
STF18NM60N Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 13 А: Rси(вкл): 0.285 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 35 нКл
STF18NM60N Тип: N: Uси: 600 В: Iс(25°C): 13 А: Rси(вкл): 0.285 Ом: @Uзатв(ном): 10 В: Qзатв: 35 нКл
223.80 ₴
MBQ40T120FESTH IGBT транзистор, Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В, Коллекторный ток: 80А, Рассеиваемая мощность: 357Вт
MBQ40T120FESTH IGBT транзистор, Напряжение коллектор-эмиттер: 1200В, Коллекторный ток: 80А, Рассеиваемая мощность: 357Вт
402.50 ₴
IRLR2908PBF MOSFET транзистор: N-канал, 80 В, 39 А, 28 мОм
IRLR2908PBF MOSFET транзистор: N-канал, 80 В, 39 А, 28 мОм
128.80 ₴
IRF8010PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRF8010PBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220AB]: Тип: N: Uси: 100 В: Iс(25°C): 80 А: Rси(вкл): 15 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
162.50 ₴
NTD20N06LT4G МОП-транзистор 60V 20A N-Channel
NTD20N06LT4G МОП-транзистор 60V 20A N-Channel
180 ₴