
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 110 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 380 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | DPAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STD13N60M2 — это униполярный полупроводниковый прибор в корпусе DPAK. Модель характеризуется рабочим напряжением 600 В и током стока 7 А.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 7 А. Рассеиваемая мощность 110 Вт.
Технология SuperMesh™ и сопротивлениеПрибор изготовлен по технологии SuperMesh™. Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) равно 0,38 Ом. Максимальное напряжение затвор-исток ограничено ±25 В.
Удобный монтаж и защита от ESDКорпус DPAK предназначен для поверхностного монтажа (SMD). Транзистор имеет встроенную защиту от электростатического разряда (ESD).
КомплектацияТовар поставляется набором из 20 транзисторов.