Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN10A25GTA, 100В, 3.7А, SOT223 (20 шт.)

Транзистор N-MOSFET от бренда Diodes Incorporated, модель ZXMN10A25GTA. Это полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223, предназначенный для поверхностного монтажа. Максимальное напряжение сток-исток составляет 100 В, а ток стока — 3,7 А.

• Тип транзистора: N-MOSFET (полевой, обогащенный канал)
• Максимально допустимое напряжение сток-исток: 100 В
• Максимально допустимый ток стока: 3,7 А
• Корпус: SOT223 (поверхностный монтаж)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 150 мОм
• Количество в комплекте: 20 шт.

Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 100 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимальный ток стока равен 3,7 А, что определяет его пропускную способность в открытом состоянии. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) составляет 150 мОм, что влияет на тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания ограничена значением 2 Вт.

Компонент выполнен в корпусе SOT223. Тип монтажа — поверхностный. Канал транзистора является обогащенным, а полярность — униполярной, что соответствует классической схеме N-MOSFET.

В комплекте поставляется 20 штук транзисторов.