
| Производитель | Diotec Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 105 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.3 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220AB |
| Толщина радиатора | макс. 1,2 мм |
Транзистор N-MOSFET DIOTEC DIT150N03 — полупроводниковый прибор с напряжением сток-исток 30 В и током стока 105 А. Мощность рассеивания составляет 130 Вт, сопротивление в открытом состоянии — 2,3 мОм.
Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) равно 30 В, а напряжение затвор-исток (Vgs) — 20 В. Максимальный постоянный ток стока (Id) — 105 А, импульсный ток (Idm) — 600 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2,3 мОм.
Конструкция и монтажКорпус транзистора — TO220AB, тип монтажа — выводной. Толщина радиатора, устанавливаемого на корпус, не должна превышать 1,2 мм. Заряд затвора (Qg) составляет 38 нКл.
Канал и полярностьТранзистор имеет канал типа обогащения и является униполярным. Это определяет принцип работы прибора и его электрические характеристики.