Транзистор полевой N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, GigaMOS , 300 В, 102 А, 570 Вт, SMPD
Код: TM204806
В наличии
4 200 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 700 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 570 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 300 В |
| Максимально допустимый ток стока | 102 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 20 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Время готовности | 200 нс |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Корпус | SMPD |
Полевой транзистор N-MOSFET IXYS MMIX1F160N30T, выполненный по технологиям GigaMOS™, HiPerFET™ и Trench™, с напряжением сток-исток 300 В и током стока 102 А.
- Тип: N-MOSFET
- Напряжение сток-исток: 300 В
- Ток стока: 102 А
- Импульсный ток стока: 440 А
- Рассеиваемая мощность: 570 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 20 мОм
Импульсный ток стока составляет 440 А, рассеиваемая мощность — 570 Вт. Напряжение затвор-исток — ±20 В, сопротивление в состоянии проводимости — 20 мОм. Заряд затвора — 367 нКл, время готовности — 200 нс. Канал обогащенного типа, транзистор униполярный.
Корпус и монтажТранзистор выпускается в корпусе SMPD, монтаж — поверхностный (SMD).
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
