Prom – найбільший маркетплейс України

Транзистор 2т951б

Код: 177
В наличии
1 560 ₴
Продавец Радио-ок
95%

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Наложенный платеж
    Нова Пошта
Транзистор 2т951б - фото 1 - id-p1379180623

Характеристики и описание

транзистор 2т951б   90г

Отзывы и вопросы

  • Отзывы (0)
  • Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
Был online: Сегодня
Радио-ок
95% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

STGP3HF60HD БТИЗ транзистор, 7.5 А, 2.45 В, 38 Вт, 600 В
STGP3HF60HD БТИЗ транзистор, 7.5 А, 2.45 В, 38 Вт, 600 В
316.30 ₴
SI4946BEY-E3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60 В, 6,5 А, 3,7 Вт, SO8
SI4946BEY-E3 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 60 В, 6,5 А, 3,7 Вт, SO8
213.80 ₴
IPP086N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100 В, 80 А, 125 Вт, PG-TO220-3
IPP086N10N3GXKSA1 Транзистор: N-MOSFET, полевой, 100 В, 80 А, 125 Вт, PG-TO220-3
286.30 ₴
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOSFETs
FQP34N20-VB 200V 40A 60mΩ@10V,40A 1 N-Channel TO-220AB-3 MOSFETs
145 ₴
2SK537
2SK537
143.80 ₴
NCE40TD120VT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
NCE40TD120VT IGBT + Diode, 468W, 1200V, 80A, TO247
342.50 ₴
KSD880YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN эпитаксиальный Sil
KSD880YTU Биполярные транзисторы - BJT NPN эпитаксиальный Sil
242.50 ₴
STN0214 Биполярный транзистор, NPN, 1.2 кВ, 1.6 Вт, 200 мА, 3 hFE
STN0214 Биполярный транзистор, NPN, 1.2 кВ, 1.6 Вт, 200 мА, 3 hFE
388.80 ₴
2N6388G Биполярный транзистор - TO-220AB, Тип: NPN Darl., UКЭ(макс): 80 В, IК(макс): 10 А, Pрасс: 20 Вт, Fгран: 20 МГц, h21:
2N6388G Биполярный транзистор - TO-220AB, Тип: NPN Darl., UКЭ(макс): 80 В, IК(макс): 10 А, Pрасс: 20 Вт, Fгран: 20 МГц, h21:
178.80 ₴
IRFB3307ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 5.8 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
IRFB3307ZPBF MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3]: Тип: N: Uси: 75 В: Iс(25°C): 120 А: Rси(вкл): 5.8 мОм: @Uзатв(ном): 10 В:
163.80 ₴
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0,04мДж
AOD5B60D Транзистор: IGBT, 600В, 5А, 21,7Вт, TO252, Eвыкл: 0,04мДж
147.50 ₴
SPA08N80C3XKSA1 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.65 Ом: @Uзатв(ном): 10
SPA08N80C3XKSA1 MOSFET силовой транзистор - [TO-220-3-FP]: Тип: N: Uси: 800 В: Iс(25°C): 8 А: Rси(вкл): 0.65 Ом: @Uзатв(ном): 10
272.50 ₴
YGW20N65T2 20A 650V TO-247-3
YGW20N65T2 20A 650V TO-247-3
127.50 ₴
IRFP9140PBF TO-247, 200 mOhms, 180 W, 21 A
IRFP9140PBF TO-247, 200 mOhms, 180 W, 21 A
322.50 ₴