Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75321P3, 55 В, 31 А, TO220AB (набор 20 шт.)

Name: Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75321P3, 55 В, 31 А, TO220AB (набор 20 шт.)
Brand: ON Semiconductor
SKU: TM203305
Price: 3800 UAH
Availability: InStock

Код: TM203305

В наличии

3 800 ₴

+1%

бонусов с картой Rozetka

Продавец Iskra

100%

Доставка

Подписка на доставку Smart
Бесплатно — в отделения Новой почты
Узнать больше
Нова Пошта

Оплата и гарантии

Безопасная оплата картой
Без переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частями
Без переплат*, от 633 ₴/мес.
Подробнее
Наложенный платеж
Нова Пошта, Самовывоз

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75321P3, 55 В, 31 А, TO220AB (набор 20 шт.) - фото 1 - id-p3243239356

Характеристики и описание

Основные

Производитель	ON Semiconductor
Максимальная мощность рассеивания	93 Вт
Максимально допустимое напряжение затвор-исток	20 В
Максимально допустимое напряжение сток-исток	55 В
Максимально допустимый ток стока	31 А
Сопротивление в открытом состоянии (Rds)	34 mOm
Тип монтажа	Вставной
Тип транзистора	Полевой

Дополнительные характеристики

Состояние	Новое

Пользовательские характеристики

Гарантийный срок	12 міс
Количество в комплекте	20 шт.
Корпус	TO220AB
Технология	UltraFET®

Транзистор N-MOSFET ONSEMI HUF75321P3 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на максимальное напряжение сток-исток 55 В и ток стока 31 А. Прибор изготовлен по технологии UltraFET® в корпусе TO220AB с выводами для монтажа в отверстия (THT).

Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
Максимально допустимое напряжение сток-исток: 55 В
Максимально допустимый ток стока: 31 А
Максимальная мощность рассеивания: 93 Вт
Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 34 мОм
Корпус: TO220AB, монтаж в отверстия
Технология: UltraFET®
Количество в комплекте: 20 шт.

Электрические параметры

Транзистор имеет максимальную мощность рассеивания 93 Вт и сопротивление в открытом состоянии (Rds) 34 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 20 В, а заряд затвора — 44 нКл. Поляризация транзистора — униполярная, тип канала — обогащенный.

Конструкция и монтаж

Компонент выполнен в корпусе TO220AB. Тип монтажа — вставной (through-hole).

Комплектация

В наборе поставляется 20 транзисторов ONSEMI HUF75321P3. Символ производителя: HUF75321P3.

Похожие товары по характеристикам