Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM, 100 В, 38,9 А, D2PAK (набор 10 шт.)
Код: TM153158
В наличии
3 140 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 523 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | ON Semiconductor |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 155 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 38.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 26 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | QFET® |
Транзистор N-MOSFET ONSEMI FQB55N10TM — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель рассчитана на напряжение до 100 В и ток до 38,9 А. Товар поставляется набором из 10 штук в корпусе D2PAK для монтажа на печатные платы.
- Напряжение сток-исток: 100 В
- Ток стока: 38,9 А
- Рассеиваемая мощность: 155 Вт
- Сопротивление в состоянии проводимости: 26 мОм
- Корпус: D2PAK, монтаж SMD
- Набор: 10 транзисторов
Транзистор выдерживает напряжение сток-исток до 100 В и ток стока до 38,9 А. Максимальная рассеиваемая мощность составляет 155 Вт.
Низкое сопротивление в открытом состоянииСопротивление в состоянии проводимости (Rds(on)) равно 26 мОм.
Технология QFET® и монтажКомпонент изготовлен по технологии QFET®. Корпус D2PAK и тип монтажа SMD позволяют устанавливать компонент на поверхность платы. Заряд затвора составляет 98 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
