Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10N65K3, 650 В, 10 А, TO220FP (20 шт.)
Код: TM114276
В наличии
3 200 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 533 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 35 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 650 В |
| Максимально допустимый ток стока | 10 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1000 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF10N65K3 — это полевой транзистор с обогащенным каналом, рассчитанный на напряжение 650 В и ток 10 А. Корпус TO220FP обеспечивает выводной монтаж, а максимальная мощность рассеивания составляет 35 Вт.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 650 В
- Максимально допустимый ток стока: 10 А
- Корпус: TO220FP (выводной монтаж)
- Максимальная мощность рассеивания: 35 Вт
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимально допустимое напряжение сток-исток (Vds) равно 650 В. Максимально допустимый ток стока (Id) составляет 10 А, импульсный ток — 40 А. Напряжение затвор-исток (Vgs) ограничено значением 30 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1000 мОм.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной. Максимальная мощность рассеивания составляет 35 Вт.
КомплектацияВ комплект поставки входит 20 шт. транзисторов STMicroelectronics STF10N65K3.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
