Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK80ZFP, 800 В, 3,9 А, TO220FP (набор 10 шт.)
Код: TM231706
В наличии
3 910 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 652 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3.9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 1500 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STP8NK80ZFP — это полевой транзистор с обогащенным каналом в корпусе TO220FP. Модель рассчитана на максимальное напряжение сток-исток 800 В и ток стока 3,9 А.
- Тип транзистора: полевой (N-MOSFET)
- Максимальное напряжение сток-исток: 800 В
- Максимальный ток стока: 3,9 А
- Мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж выводной
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В и максимально допустимый ток стока 3,9 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 30 Вт, а сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 1500 мОм. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Используется технология SuperMesh™. Версия ESD указана в спецификации производителя.
КомплектацияВ наборе поставляется 10 шт. транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
