Доставка
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Оплата по реквизитам
Безготівковий розрахунок
Характеристики и описание
Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Транзисторы кремниевые планарные n-p-n высокочастотные и СВЧ усилительные с нормированным коэффициентом шума на частоте 100 МГц. Предназначены для усиления и генерирования сигналов высокой частоты.
Бескорпусные, без кристаллодержателя, с гибкими выводами и защитным покрытием эмалью. Выпускаются в сопроводительной таре.Отзывы о товаре
0
Еще не было отзывов о товаре у этого продавца
