2Т809А

2Т809А
Транзисторы 2Т809А кремниевые мезапланарные структуры n-p-n переключательные.
Предназначены для применения в переключающих и импульсных устройствах.
Корпус металлический со стеклянными изоляторами и жесткими выводами.

Основные технические характеристики транзисторов 2Т809А, КТ809А:

Параметры	2Т809А	КТ809А
Iк max, А	3	3
Iк и max, А	5	5
UкэR max, В	400	400
Uэб0 max, В	4	4
Рк max, Вт	40	40
Тк, ºС	50	50
Тп max, ºС	150	150
Тк max, ºС	125	125
h21Э	15…100	15…100
Uкэ, В	5	5
Iк, А	2	2
Uкэ нас, В	1,5	1,5
IкэR, мА	3	3
fгр, МГц	5,1	5,1
Ск, пФ	270	270
tвкл, мкс	0,3	0,3
tвыкл, мкс	3,3	3,3
Rт п-к, ºС/Вт	2,5	2,5

  Обозначения параметров в таблице:

■ Iк max - максимально допустимый ток коллектора;

■ Iк и max - максимально допустимый импульсный ток коллектора;

■ UкэR max - максимально допустимое постоянное напряжение коллектор-эмиттер при сопротивлении в цепи база-эмиттер;

■ Uэб0 max - максимально допустимое напряжение эмиттер-база при токе коллектора, равном нулю;

■ Рк max - максимально допустимая постоянная рассеиваемая мощность коллектора;

■ Тк - температура корпуса;

■ Тп max - максимально допустимая температура перехода;

■ Тк max - максимально допустимая температура корпуса;

■ h21Э - статический коэффициент передачи тока биполярного транзистора;

■ Uкэ - постоянное напряжение коллектор-эмиттер;

■ Iк - постоянный ток коллектора;

■ Uкэ нас - напряжение насыщения коллектор-эмиттер;