2Т920В

2Т920В
Транзисторы 2Т920В кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в усилителях мощности, умножителях частоты и автогенераторах на частотах 50...200 МГц при напряжении питания 12,6 В.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с плоскими выводами и монтажным винтом.
Тип прибора указывается на корпусе.
Масса транзистора не более 4,5 г.

Основные технические характеристики транзистора 2Т920В:
• Структура транзистора: n-p-n;
• Рк т max ― Постоянная рассеиваемая мощность коллектора с теплоотводом: 25 Вт;
• fгр ― Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: более 400 МГц;
• Uкбо max ― Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе коллектора и разомкнутой цепи эмиттера: 36 В;
• Uэбо max ― Максимальное напряжение эмиттер-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора: 4 В;
• Iк max ― Максимально допустимый постоянный ток коллектора: 3 А;
• Iк и max ― Максимально допустимый импульсный ток коллектора: 7 А;
• Iкэr ― Обратный ток коллектор-эмиттер при заданных обратном напряжении коллектор-эмиттер и сопротивлении в цепи база-эмиттер: не более 7,5 мА (36В);