Prom – найбільший маркетплейс України

2Т317В-1

Код: 1330
В наличии
10+ купили
26 
Заказ у продавца — от 500 ₴

Доставка

  • Иконка доставки
    Нова Пошта

Оплата и гарантии

  • Иконка оплаты
    Оплата по реквизитам
  • Иконка оплаты
    Безготівковий розрахунок
2Т317В-1 - фото 1 - id-p99122475

Характеристики и описание

2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.2Т317В-1
Транзисторы 2Т317В-1 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой и низкой частоты, переключающих и импульсных устройствах герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием.

Вопросы и ответы

0
Хочешь узнать больше о товаре? Спрашивай — продавец с радостью подскажет.
Был online: Сегодня
ТехКомплект
90% положительных отзывов

Похожее у других продавцов

Транзистор OSG65R220PZ (TO-220)
299 
500