Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G200N03S2, N-MOSFET, 30 В, 7 А, SOP8 (G200N03S2-GFS) набор 30 шт.
Код: TM202890
В наличии
3 040 ₴
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 507 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 30 В |
| Максимально допустимый ток стока | 7 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 30 шт. |
| Корпус | SOP8 |
| Производитель | GOFORD SEMICONDUCTOR |
Транзистор GOFORD SEMICONDUCTOR G200N03S2 — это полевой N-MOSFET транзистор с технологией Trench. Прибор имеет максимальное напряжение сток-исток 30 В, ток стока 7 А и мощность рассеивания 2 Вт. Корпус SOP8 обеспечивает поверхностный монтаж.
- Тип транзистора: Полевой (N-MOSFET)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 30 В
- Максимально допустимый ток стока: 7 А
- Максимальная мощность рассеивания: 2 Вт
- Корпус: SOP8
- Тип монтажа: Поверхностный
- Количество в комплекте: 30 шт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 30 В и напряжением затвор-исток 20 В. Максимально допустимый ток стока составляет 7 А. Мощность рассеивания ограничена значением 2 Вт.
Конструкция и монтажПрибор выполнен в корпусе SOP8, предназначенном для поверхностного монтажа. Это полевой транзистор с каналом типа N (N-MOSFET). В комплекте поставляется 30 штук.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
