
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор IGBT STGF10H60DF от STMicroelectronics в корпусе TO220FP. Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, максимальный ток коллектора — 10 А.
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В. Максимальный постоянный ток коллектора — 10 А. Максимальная мощность рассеивания равна 30 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор выполнен в корпусе TO220FP с выводным типом монтажа. Прибор имеет интегрированный антипараллельный диод. Заряд затвора составляет 57 нКл, а максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер — ±20 В.
КомплектацияВ комплекте поставляется 20 транзисторов.