Транзистор N/P-MOSFET комплементарная пара Diodes Incorporated ZXMC4559DN8TA, 60 В, SO8, 20 шт.
Код: TM021625
В наличии
3 750 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 625 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 1.25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 75 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SO8 |
Комплементарная пара транзисторов N/P-MOSFET от Diodes Incorporated, модель ZXMC4559DN8TA. Производитель DIODES INCORPORATED. В комплекте 20 шт.
- Тип монтажа: поверхностный
- Корпус: SO8
- Максимальная мощность рассеивания: 1,25 Вт
- Максимально допустимое напряжение затвор-исток: 20 В
- Сопротивление в открытом состоянии (Rds): 75 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимальное напряжение затвор-исток составляет 20 В. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 75 мОм. Максимальная мощность рассеивания — 1,25 Вт.
Конструкция и монтажТранзисторы имеют поверхностный тип монтажа и корпус SO8. Канал обогащенный, полярность однополярная. Напряжение сток-исток 60/-60 В, ток стока 3,6/-2,6 А.
КомплектацияВ наборе 20 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
