
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 150 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 15 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 25 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 36 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | D2PAK |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STB40NF10LT4 — это униполярный полевой транзистор с каналом обогащения. Модель отличается технологией SuperMesh™ и версией ESD. Напряжение затвор-исток составляет ±15 В.
Транзистор имеет рассеиваемую мощность 150 Вт. Этот параметр определяет максимальную тепловую нагрузку компонента во время работы.
Электрические параметрыМаксимальный ток стока составляет 25 А, а напряжение сток-исток — 100 В. Напряжение затвор-исток равно ±15 В.
Корпус и монтажКомпонент выполнен в корпусе D2PAK с типом монтажа SMD. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 36 мОм.
Версия ESDТранзистор выпускается в версии ESD. Эта характеристика указана в спецификации производителя.
Транзистор STB40NF10LT4 поставляется набором из 10 штук. Компонент имеет символ производителя STB40NF10LT4.