
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 46 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 5.6 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF100N6F7 — полевой транзистор в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 20 единиц, предназначенных для монтажа в электронные схемы.
Максимальное напряжение сток-исток составляет 60 В, а максимально допустимый ток стока — 46 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 5.6 мОм, что определяет тепловые потери при работе. Максимальная мощность рассеивания — 25 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток ограничено значением 20 В.
Комплектация и корпусКомплект содержит 20 транзисторов в корпусе TO220FP. Тип монтажа — выводной, что соответствует технологии установки в отверстия печатных плат. Корпус TO220FP. Транзистор является униполярным с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный канал), что определяет его как полевой транзистор с каналом типа «wzbogacany» (обогащенный канал). Заряд затвора составляет 30 нКл. Максимальный импульсный ток стока (Idm) достигает 184 А.