Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z, 800 В, 160 мА, SOT223 (20 шт.)
Код: TM037153
В наличии
3 660 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 610 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 2.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 800 В |
| Максимально допустимый ток стока | 0.16 А |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Версия | ESD |
|---|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
| Технология | SuperMesh™ |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STN1NK80Z — это полевой транзистор с каналом обогащения. Модель выполнена в корпусе SOT223 и имеет максимальное напряжение сток-исток 800 В.
- Тип транзистора: полевой N-MOSFET
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 800 В
- Максимально допустимый ток стока: 0,16 А
- Максимальная мощность рассеивания: 2,5 Вт
- Корпус: SOT223, монтаж поверхностный
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор характеризуется максимально допустимым напряжением сток-исток 800 В и максимально допустимым током стока 0,16 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 2,5 Вт. Напряжение затвор-исток ограничено значением 30 В.
Конструкция и монтажКомпонент изготовлен по технологии SuperMesh™ и имеет версию ESD. Тип монтажа — поверхностный, что соответствует корпусу SOT223. Транзистор является униполярным с каналом обогащения.
КомплектацияВ набор поставляется 20 транзисторов.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
