Транзистор IGBT IXYS IXBN42N170A, 1700 В, 21 А, SOT227B
Код: TM112701
В наличии
4 150 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 692 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 313 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 265 А |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Технология | BiMOSFET™ |
Транзистор IGBT IXBN42N170A от производителя IXYS — это силовой полупроводниковый компонент в корпусе SOT227B. Устройство предназначено для работы в высоковольтных электрических схемах, где необходима надежная коммутация тока до 21 А при напряжении до 1700 В.
- Максимальное обратное напряжение 1,7 кВ для высоковольтных применений
- Номинальный ток коллектора 21 А
- Импульсный ток до 265 А
- Рассеиваемая мощность 313 Вт
- Надежный корпус SOT227B с винтовым монтажом
- Технология BiMOSFET™
Модуль рассчитан на максимальное обратное напряжение 1,7 кВ.
Мощность и токНоминальный ток коллектора составляет 21 А, а импульсный ток может достигать 265 А. Это позволяет модулю выдерживать кратковременные пиковые нагрузки без повреждения структуры полупроводника.
Тепловой режимМаксимальная рассеиваемая мощность модуля — 313 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в виде одиночного транзистора (single transistor) в стандартном корпусе SOT227B. Механический и электрический монтаж осуществляется с помощью винтового крепления.
Технология BiMOSFETВ модуле применена технология BiMOSFET™.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
