


| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 62.5 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 60 В |
| Максимально допустимый ток стока | 57 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 11 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | PowerFLAT 5x6 |
Комплект из 20 транзисторов N-MOSFET от STMicroelectronics, модель STL50DN6F7. Это двойные полевые транзисторы с каналом обогащения, рассчитанные на напряжение 60 В и ток 57 А.
Транзисторы имеют максимальное напряжение сток-исток 60 В и постоянный ток стока 57 А. В импульсном режиме ток может достигать 228 А. Сопротивление в состоянии проводимости составляет 11 мОм.
Монтаж и корпусКомпоненты выполнены в корпусе PowerFLAT 5x6 для поверхностного монтажа (SMD). Поляризация транзисторов — униполярная, тип канала — обогащенный.
КомплектацияВ упаковке поставляется 20 транзисторов. Транзисторы имеют рассеиваемую мощность 62,5 Вт и заряд затвора 17 нКл. Максимальное напряжение затвор-исток составляет ±20 В.