Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N, 600V, 11A, TO220FP (10 шт.)
Код: TM114282
В наличии
4 040 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 673 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 30 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 30 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 11 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO220FP |
| Технология | MDmesh™ II |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF24NM60N — это полупроводниковый прибор с технологией MDmesh™ II. Комплект из 10 штук.
- Тип: N-MOSFET с обогащением канала
- Максимальное напряжение сток-исток: 600 В
- Максимальный ток стока: 11 А
- Мощность рассеивания: 30 Вт
- Корпус: TO220FP, монтаж THT
- Комплектация: 10 транзисторов
Транзистор рассчитан на напряжение сток-исток 600 В и максимальный ток стока 11 А. Эти параметры определяют область применения компонента.
Эффективное рассеивание теплаМощность рассеивания составляет 30 Вт, что требует надлежащего теплового режима. Корпус TO220FP с монтажом THT (через отверстия).
Технология MDmesh™ IIИспользование технологии MDmesh™ II от STMicroelectronics.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
