Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2, 600 В, 9 А, TO220FP (набор 20 шт.)
Код: TM020807
В наличии
3 710 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 618 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 25 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 9 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 450 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | TO220FP |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STF12N60M2 — это полевой транзистор с изолированным затвором в корпусе TO220FP. Комплект состоит из 20 штук, предназначенных для монтажа в штырьковом исполнении.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 9 А
- Максимальная мощность рассеивания: 25 Вт
- Корпус: TO220FP
- Количество в комплекте: 20 шт.
Транзистор рассчитан на максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 9 А. Максимальная мощность рассеивания составляет 25 Вт. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 450 мОм.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO220FP. Тип монтажа — штырьковой. Полярность транзистора — униполярная, канал обогащенного типа. Максимально допустимое напряжение затвор-исток составляет 25 В, а заряд затвора — 16 нКл. Импульсный ток стока может достигать 36 А.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
