Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA, 70В, 3А, SOT223 (набор 20 шт.)
Код: TM021629
В наличии
3 220 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 537 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | Diodes Incorporated |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 2 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 70 В |
| Максимально допустимый ток стока | 3 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 190 mOm |
| Тип монтажа | Поверхностный |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 20 шт. |
| Корпус | SOT223 |
Транзистор N-MOSFET Diodes Incorporated ZXMN7A11GTA — полевой транзистор с каналом обогащения в корпусе SOT223. Максимальное напряжение сток-исток — 70 В, максимальный ток стока — 3 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 70 В
- Максимально допустимый ток стока: 3 А
- Корпус: SOT223 (поверхностный монтаж)
- Сопротивление в открытом состоянии: 190 мОм
- Количество в комплекте: 20 шт.
Максимальное напряжение сток-исток — 70 В. Максимально допустимый ток стока — 3 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 190 мОм.
Корпус и комплектацияТранзистор выполнен в поверхностном корпусе SOT223. Максимальная мощность рассеивания — 2 Вт. Максимально допустимое напряжение затвор-исток — 20 В. Тип монтажа — поверхностный. В комплекте 20 шт.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
