
| Максимальная мощность рассеивания | 424 Вт |
|---|---|
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 20 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 100 В |
| Максимально допустимый ток стока | 280 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 2.1 mOm |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | SOT227B |
| Производитель | DACO Semiconductor |
Одиночный MOSFET-транзистор DACO Semiconductor DAMI320N100 в корпусе SOT227B. Предназначен для работы с напряжением до 100 В и током до 280 А.
Максимально допустимое напряжение сток-исток составляет 100 В, а напряжение затвор-исток — 20 В. Максимальный ток стока равен 280 А. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) — 2.1 mOm.
Структура и тип транзистораМодуль имеет структуру одиночного транзистора и является униполярным. Это полупроводниковый модуль типа MOSFET.
Монтаж и мощность