Транзистор IGBT IXYS IXBK55N300, 3 кВ, 55 А, TO264
Код: TM019233
В наличии
9 430 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 1572 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 625 Вт |
| Максимально допустимый ток коллектора | 600 А |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Корпус | TO264 |
| Технология | BiMOSFET™ |
Транзистор IGBT IXYS IXBK55N300 — это высоковольтный компонент технологии BiMOSFET™ в корпусе TO264. Компонент имеет напряжение коллектор-эмиттер 3 кВ и номинальный ток коллектора 55 А.
- Напряжение коллектор-эмиттер 3 кВ для высоковольтных применений
- Номинальный ток коллектора 55 А с импульсным током до 600 А
- Мощность рассеивания 625 Вт в корпусе TO264
- Технология BiMOSFET™ для оптимизации характеристик
- Время включения 637 нс и выключения 475 нс
- Монтаж THT для надежного крепления на плате
Транзистор работает с напряжением коллектор-эмиттер 3 кВ. Это определяет его применение в схемах с высоким напряжением.
Ток и мощностьНоминальный ток коллектора составляет 55 А, а импульсный ток достигает 600 А. Мощность рассеивания составляет 625 Вт.
Время переключенияВремя включения составляет 637 нс, а выключения — 475 нс.
Технология и корпусКомпонент изготовлен по технологии BiMOSFET™. Монтаж выполняется методом THT. Корпус — TO264.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
