
| Производитель | IXYS |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 270 Вт |
| Максимально допустимое напряжение коллектор-эммитер | 600 В |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
| Состояние | Новое |
|---|
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 5 шт. |
| Корпус | TO247AD |
Транзистор IGBT производства IXYS, модель IXXH30N60B3, выполнен в корпусе TO247AD. Устройство относится к технологии GenX3™ и предназначено для работы с напряжением до 600 В и током коллектора 30 А.
Максимально допустимое напряжение коллектор-эмиттер составляет 600 В, что определяет границы рабочей нагрузки. Максимально допустимый ток коллектора указан как 115 А, тогда как номинальный ток в названии товара указан как 30 А. Максимальная мощность рассеивания равна 270 Вт.
Конструкция и монтажТранзистор изготовлен по планарной технологии XPT™ и относится к семейству GenX3™. Тип монтажа: выводной. Корпус: TO247AD. Напряжение между затвором и эмиттером ограничено значением ±20 В, а заряд затвора составляет 39 нКл.
КомплектацияВ набор поставляется 5 транзисторов IXXH30N60B3.