Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N, 600 В, 8.19 А, TO247 (10 шт.)
Код: TM114388
В наличии
3 730 ₴
100%
Доставка
Подписка на доставку SmartБесплатно — в отделения Новой почты
Нова Пошта
Оплата и гарантии
Безопасная оплата картойБез переплат
Prom гарантирует безопасность
Вернем деньги при отказе от посылки
Оплатить частямиБез переплат*, от 622 ₴/мес.
Наложенный платежНова Пошта, Самовывоз
Характеристики и описание
Основные
| Производитель | STMicroelectronics |
|---|---|
| Максимальная мощность рассеивания | 130 Вт |
| Максимально допустимое напряжение затвор-исток | 25 В |
| Максимально допустимое напряжение сток-исток | 600 В |
| Максимально допустимый ток стока | 8.19 А |
| Сопротивление в открытом состоянии (Rds) | 250 mOm |
| Тип монтажа | Вставной |
| Тип транзистора | Полевой |
Дополнительные характеристики
| Состояние | Новое |
|---|
Пользовательские характеристики
| Гарантийный срок | 12 міс |
|---|---|
| Количество в комплекте | 10 шт. |
| Корпус | TO247 |
Транзистор N-MOSFET STMicroelectronics STW18NM60N — это полевой транзистор с индуцированным каналом. Модель имеет максимальное напряжение сток-исток 600 В и ток стока 8.19 А.
- Тип транзистора: N-MOSFET (полевой)
- Максимально допустимое напряжение сток-исток: 600 В
- Максимально допустимый ток стока: 8.19 А
- Максимальная мощность рассеивания: 130 Вт
- Корпус: TO247
- Количество в комплекте: 10 шт.
Транзистор работает с максимально допустимым напряжением сток-исток 600 В и напряжением затвор-исток 25 В. Максимальный постоянный ток стока составляет 8.19 А, а импульсный ток может достигать 52 А. Мощность рассеивания составляет 130 Вт.
Конструкция и монтажКомпонент выполнен в корпусе TO247. Тип монтажа — выводной. Сопротивление в открытом состоянии (Rds) равно 250 мОм.
КомплектацияВ комплект входят 10 транзисторов STW18NM60N. Полярность транзистора — униполярная. Заряд затвора составляет 34 нКл.
Отзывы и вопросы
- Отзывы (0)
- Вопросы (0)
Еще не было отзывов об этом товаре
